[연구소] 반도체 유리 기판 개발 (도금 공정) 직무 경력직 채용

[담당업무]

• 반도체 유리기판용 무전해 도금(Electroless Plating) 및 전해도금(Electroplating) 공정 개발
• TGV(Through Glass Via) 내부 Cu Seed / Cu Filling 및 Metallization 공정 개발
• 도금액 조성, 온도, pH, 전류 밀도, 첨가제 등 주요 공정 Parameter 최적화
• 신규 도금 소재 및 약품 평가
• 도금 설비 선정, 공정 Set-up 및 양산 적용
• 외부 소재 · 설비 · 도금 전문업체와의 공동 개발 및 기술 협업

[자격사항]

• 학사 ​이상 ​학위 ​보유자
• 신소재공학, 화학, 화학공업학, 전자재료공학 등 관련 ​학과 ​전공자
• 관련 경력 7년 이상 또는 이에 준하는 도금 공정 개발 경력 보유자
• 무전해 도금 또는 전해도금 공정 개발 경험 보유자
• 도금액 및 Wet Chemical 공정 관리 경험 보유자
• PCB 또는 TGV 관련 기업 근무 경력 보유자
• 해외여행에 ​결격사유가 ​없는 ​자
• 남자의 경우, 병역필 ​또는 ​면제자

[우대사항]

• TGV(Through Glass Via) 또는 반도체 유리기판 개발 경험 보유자
• TGV 내부 Cu Filling / Via Filling 도금 경험 보유자
• 반도체 Package Substrate, FC-BGA, PCB, IC Substrate 관련 도금 공정 경험 보유자
• TSV, TGV, Via Filling 또는 Damascene 계열 Cu 도금 경험 보유자
• 무전해 Cu Seed 형성 및 전해 Cu Filling 연계 공정 경험 보유자
• PVD / Sputtering Seed Layer와 도금 공정 연계 경험 보유자
• 도금 설비 신규 도입 및 개발 / 양산 Set-up 경험 보유자
• 반도체 또는 PCB 관련 소재·부품·장비 기업 근무 경험 보유자

[지원자 참고사항]

• 본 채용 공고는 채용 완료 시까지 모집합니다.
• 입사 후 3개월간 수습 기간이 적용됩니다.
• 취업보호대상자(장애, 보훈 등)는 관계 법령에 의거하여 우대합니다.
• 나이, 성별에 상관없이 누구나 지원할 수 있습니다.
• 필요 시 전형단계에서 과제가 진행 될 수 있습니다.
• 입사지원서는 모든 사항을 정확히 입력해야 하며, 추후 입력사항이 허위로 판명될 경우 입사(합격)가 취소됩니다.
• 대졸 신입 채용의 경우 자격요건은 아래와 같습니다.

- 학점 3.0 이상인 자

- OPIc IM2 이상 또는 TOEIC Speaking Level 6 이상 등급 보유자

(단, 해외 대학 졸업자는 어학 기준 적용 제외)